最新!台积电2nm工艺重大突破!

发布人:红松小e 发布时间:2020-09-28 09:25:10

台积电2nm制程研发获重大突破!众所周知,台积电多年来走在全世界半导体技术的前沿,目前能够实现5nm量产并实现极高良品率的芯片企业只有台积电一个。

最新!台积电2nm工艺重大突破!
 

虽然三星也宣布成功量产5nm,但由于技术不够成熟,良品率与台积电差距较大。可以说,其他芯片企业一直想要超越台积电,但台积电从未被超越。
 


台积电:第一家官宣2nm工艺,研发进度超前
 

近日,有媒体报道称台积电取得了2nm研发的重大突破,与3nm和5nm制程采用的FinFET架构不同,台积电的2nm制程采用了全新的多桥通道场效晶体管,又称为MBCFET架构,解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。
 

按照台积电给出的指标显示,2nm工艺是一个重要节点。Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。
 

 

值得一提的是,随着台积电的极紫外光微显影技术越来越成熟,其纳米片堆叠技术也更加炉火纯青,2nm芯片的良率将会有所提升。
 

 

FinFET代替者出现,GAA突破瓶颈
 

在FinFET技术提出之前,半导体芯片的极限是35nm,随着FinFET技术广泛应用之后,20nm以下到3nm的节点都离不开该技术的推进,不过现在FinFET出现了瓶颈,由于芯片尺寸已经接近极限,芯片漏电与材料极限是一个有待解决的难题。
 

 

台积电2nm采用的GAA全环绕栅技术在FinFET的基础上进一步提升,沟道采用纳米线组成,并且四周环绕栅极,能够增强对沟道的控制能力,从而减少漏电的问题。或许在未来芯片工艺制程的赛道上,GAA技术将会取代现在FinFET。


 

2023年有望面世,台积电依然无法被超越
 

台积电在2nm研发上切入全环栅场效应晶体管GAA,其竞争对手三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时,就宣布从FinFET转向GAA,并「大放厥词」:2030年要超过台积电,取得全球芯片代工龙头地位。
 

这也算是为两家企业2-3nm制程的市场之战吹响了号角。


 

为了抢在台积电之前完成3nm的研发,三星的芯片制造工艺由5nm直接上升到3nm,4nm则直接跳过。
 

无论如何,半导体芯片已经进入到3nm-2nm的赛道中,虽然只有台积电与三星两家你争我抢,但很显然,台积电已经走在了三星的前面,三星恐怕还是难以超越台积电。
 

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